В РФ разрабатываются лазеры для производства чипов и 3D-печати
3 Декабря 2024 в 10:32
Минпромторг инициировал проект по созданию материалов, необходимых для производства диодных лазеров. В настоящее время эти материалы не поставляются в страну. На реализацию проекта выделено более одного миллиарда рублей, и работы планируется завершить к концу 2026 года.
В рамках тендера, который был опубликован 18 ноября 2024 года, предлагается создать гетероэпитаксиальные структуры с квантовыми размерами на основе отечественных кристаллов и подложек из арсенида галлия (GaAs) для использования в диодных лазерах.
Разрабатывающиеся материалы будут применяться в производстве лазерных полупроводниковых диодов для систем накачки мощных лазеров. Также они найдут применение в оборудовании для лазерной обработки металлов, включая аддитивное производство (3D-печать), и в лазерной медицинской технике. Эти материалы станут основой для создания лазеров с длиной волны в диапазоне от 0,75 до 0,99 мкм.
В настоящее время в России не существует аналогов подобных материалов, а зарубежные аналоги недоступны для приобретения и изучения. Внедрение разработанных технологий и организация опытно-промышленных производств материалов позволит уменьшить зависимость от импорта на предприятиях российской радиоэлектронной промышленности и создать отечественные изделия электронной компонентной базы (ЭКБ) и радиоэлектронную аппаратуру (РЭА) современного уровня, как указано в техническом задании.
Мероприятия осуществляются в соответствии с госпрограммой «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности». Срок их выполнения – 1 декабря 2026 года.
Источник: CNews
